首页 > 商品目录 > > > DMN10H170SFGQ-13代替型号比较

DMN10H170SFGQ-13  与  DMN10H170SFG-13  区别

型号 DMN10H170SFGQ-13 DMN10H170SFG-13
唯样编号 A-DMN10H170SFGQ-13 A36-DMN10H170SFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.9A(Ta),8.5A(Tc) 2.9A(Ta),8.5A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 940mW(Ta) 940mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 122mΩ@3.3A,10V 122mΩ@3.3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 870.7 pF @ 25 V 870.7 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14.9 nC @ 10 V 14.9 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 2,920
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.562
100+ :  ¥1.199
750+ :  ¥1.0021
1,500+ :  ¥0.9108
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SFGQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.199
750: ¥1.0021
1,500: ¥0.9108
2,920 对比
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

8-PowerVDFN

¥2.013 

阶梯数 价格
30: ¥2.013
100: ¥1.54
1,000: ¥1.298
1,850 对比
DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售