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DMN10H099SFG-13  与  STL4N10F7  区别

型号 DMN10H099SFG-13 STL4N10F7
唯样编号 A-DMN10H099SFG-13 A36-STL4N10F7
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 N-Channel 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE Power Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 70mΩ@2.25A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 980mW(Ta) 2.9W(Ta),50W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 80mΩ@3.3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1172 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 Power
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 4.5A
系列 - DeepGATE™,STripFET™ VII
驱动电压 6V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 408pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
100: ¥2.013
1,000: ¥1.749
2,000: ¥1.65
3,450 对比
STL4N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

Power

暂无价格 0 对比
STL4N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

Power

暂无价格 0 对比
STL4N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

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DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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