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DMJ70H900HJ3  与  AOU4S60  区别

型号 DMJ70H900HJ3 AOU4S60
唯样编号 A-DMJ70H900HJ3 A-AOU4S60
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 7A TO251
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 0.75
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 1.8
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 603 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±30V 30V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.4 nC @ 10 V -
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-251 TO-251
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 7A(Tc) 4A
Ciss(pF) - 263
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 177
Td(off)(ns) - 40
漏源极电压Vds 700V 600V
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) 56.8W
Qrr(nC) - 1500
RdsOn(Max)@Id,Vgs 900mΩ@1.5A,10V -
VGS(th) - 4.1
FET类型 N-Channel N-Channel
驱动电压 10V -
Coss(pF) - 21
Qg*(nC) - 6*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMJ70H900HJ3 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-251

暂无价格 0 当前型号
AOU4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-251

暂无价格 0 对比

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