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DMG9926USD-13  与  IRF7311PBF  区别

型号 DMG9926USD-13 IRF7311PBF
唯样编号 A-DMG9926USD-13 A-IRF7311PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L Dual N-Channel 20 V 2 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 29mΩ@6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 24mΩ@8.2A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 867pF @ 15V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.8nC @ 4.5V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A 6.6A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 900pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG9926USD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7311PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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