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DMG7702SFG-7  与  RQ3E120GNTB  区别

型号 DMG7702SFG-7 RQ3E120GNTB
唯样编号 A-DMG7702SFG-7 A33-RQ3E120GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.8mΩ@12A,10V
上升时间 - 4.5ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 890mW(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 10nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4310 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 25.5ns
正向跨导 - 最小值 - 10S
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 31.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12A(Ta) 12A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
下降时间 - 3.4ns
典型接通延迟时间 - 9.6ns
库存与单价
库存 0 2,170
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥2.7981
100+ :  ¥2.1561
500+ :  ¥1.7345
1,000+ :  ¥1.6482
2,000+ :  ¥1.5907
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG7702SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
RQ3E120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.7981 

阶梯数 价格
60: ¥2.7981
100: ¥2.1561
500: ¥1.7345
1,000: ¥1.6482
2,000: ¥1.5907
2,170 对比
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