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DMG6898LSD-13  与  IRF8910TRPBF  区别

型号 DMG6898LSD-13 IRF8910TRPBF
唯样编号 A-DMG6898LSD-13 A-IRF8910TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMG6898LSD Series 20 V 9.5 A Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@9.4A,4.5V 13.4mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.28W 2W
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A 10A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 2.55V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1149pF @ 10V 960pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 11nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.55V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A

暂无价格 0 当前型号
IRF8910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V 2W N-Channel 20V 10A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8915 Infineon  数据手册 功率MOSFET

20V 8.9A 18.3mΩ@8.9A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO

暂无价格 0 对比

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