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DMG4710SSS-13  与  IRF8707TRPBF  区别

型号 DMG4710SSS-13 IRF8707TRPBF
唯样编号 A-DMG4710SSS-13 A-IRF8707TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11.9mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.54W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12.5mΩ@11.7A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1849 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 43 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.8A(Ta) 11A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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