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DMG4468LK3-13  与  IRLR3103PBF  区别

型号 DMG4468LK3-13 IRLR3103PBF
唯样编号 A-DMG4468LK3-13 A-IRLR3103PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3 MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 107W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.68W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 16mΩ@11.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 867 pF @ 15 V 1600pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.85 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.7A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 4.5V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 19 毫欧 @ 33A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 55A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4468LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.68W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 9.7A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
IRLR3103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 19mΩ@33A,10V N-Channel 30V 55A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3103PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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