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DMG2307L-7  与  NTR4171PT1G  区别

型号 DMG2307L-7 NTR4171PT1G
唯样编号 A-DMG2307L-7 A36-NTR4171PT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 0.76W -
宽度 - 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.5A,10V 75mΩ@2.2A,10V
正向跨导-最小值 - 7 S
上升时间 - 16 ns
栅极电压Vgs ±20V ±12V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 2.2A(Ta)
配置 - Single
长度 - 2.9 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,10V
下降时间 - 22 ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
高度 - 0.94 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 480mW(Ta)
典型关闭延迟时间 - 32 ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMG NTR4171P
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 371.3pF @ 15V 720pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V 15.6nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 9 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,899
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.232
200+ :  ¥0.946
1,500+ :  ¥0.8228
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

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SOT-23-3

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
7,322 对比
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SOT-363T-6

¥2.4148 

阶梯数 价格
70: ¥2.4148
100: ¥2.2902
500: ¥1.9261
1,000: ¥1.859
2,000: ¥1.7249
3,000 对比
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2.9mm SOT-23

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
200: ¥0.946
1,500: ¥0.8228
1,899 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363T-6

¥2.4148 

阶梯数 价格
70: ¥2.4148
100: ¥2.2902
500: ¥1.9261
1,000: ¥1.859
1,272 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363T-6

¥5.6583 

阶梯数 价格
1: ¥5.6583
100: ¥3.2705
1,500: ¥2.0735
3,000: ¥1.4991
100 对比

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