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DMG2307L-7  与  RSR025P03TL  区别

型号 DMG2307L-7 RSR025P03TL
唯样编号 A-DMG2307L-7 A-RSR025P03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 0.76W -
功率耗散(最大值) - 1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 460pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23 TSMT3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A -
系列 DMG -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 371.3pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 98 毫欧 @ 2.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 5.4nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 当前型号
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C

¥2.7215 

阶梯数 价格
60: ¥2.7215
100: ¥2.1561
300: ¥1.7728
500: ¥1.6961
1,000: ¥1.6386
3,000 对比
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BSS308PEH6327XTSA1_SOT-23 P-Channel 80mΩ@2A,10V 500mW -55°C~150°C ±20V 30V 2A 车规

暂无价格 3,000 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C

¥2.7215 

阶梯数 价格
60: ¥2.7215
100: ¥2.1561
300: ¥1.7728
500: ¥1.6961
1,000: ¥1.6386
1,269 对比
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¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
200: ¥0.6279
622 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C

暂无价格 150 对比

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