首页 > 商品目录 > > > > DGD2181S8-13代替型号比较

DGD2181S8-13  与  IRS2181STRPBF  区别

型号 DGD2181S8-13 IRS2181STRPBF
唯样编号 A-DGD2181S8-13 A-IRS2181STRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 栅极驱动器 门驱动器
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO IRS2181 Series 600 V 1.9 A 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电压-电源 - 10 V ~ 20 V
高压侧电压-最大值(自举) - 600V
逻辑电压 - VIL,VIH - 0.8V,2.5V
驱动配置 - 半桥
输入类型 - 非反相
驱动器数 - 2
电压 - 电源 - 10 V ~ 20 V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) - 1.9A,2.3A
FET类型 - 独立式
封装/外壳 8-SOIC SOIC 8N
栅极类型 - IGBT,N 沟道 MOSFET
电流-峰值输出(灌入,拉出) - 1.9A,2.3A
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ)
上升/下降时间(典型值) - 40ns,20ns
高压侧电压 - 最大值(自举) - 600V
逻辑电压 -VIL,VIH - 0.8V,2.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DGD2181S8-13 Diodes Incorporated  数据手册 栅极驱动器

8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IR2181STRPBF Infineon  数据手册 门驱动器

SOIC8N

暂无价格 0 对比
IRS2181STRPBF Infineon  数据手册 门驱动器

SOIC8N

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售