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DCX124EU-7-F  与  MUN5212DW1T1G  区别

型号 DCX124EU-7-F MUN5212DW1T1G
唯样编号 A-DCX124EU-7-F A36-MUN5212DW1T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 DCX124EU Series 50 V 30 mA NPN/PNP Surface Mount Dual Transistor - SOT-363-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-363 SC-88
工作温度 -55℃~150℃ -
晶体管类型 NPN/PNP -
R1 22k Ohms -
R2 22k Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
特征频率fT 250MHz -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 5mA,10V
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 22k
直流电流增益hFE 56 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
库存与单价
库存 0 4,761
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
120+ :  ¥0.4446
200+ :  ¥0.286
3,000+ :  ¥0.255
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DCX124EU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

暂无价格 0 当前型号
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363

¥0.8129 

阶梯数 价格
70: ¥0.8129
200: ¥0.3198
1,500: ¥0.231
3,000: ¥0.159
43,082 对比
PUMH1,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH1_SOT-363

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
30,000 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
23,343 对比
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
3,000: ¥0.255
4,761 对比
UMD2NTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥1.3128 

阶梯数 价格
120: ¥1.3128
500: ¥0.8055
1,000: ¥0.7757
1,600 对比

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