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BUK966R5-60E,118  与  IPB057N06NATMA1  区别

型号 BUK966R5-60E,118 IPB057N06NATMA1
唯样编号 A-BUK966R5-60E,118 A-IPB057N06NATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 BUK966R5-60E Series 60 V 5.9 mOhm N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - TO-263-3 MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta),83W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 182W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 30V
输出电容 439pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 36uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
输入电容 5172pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.7 毫欧 @ 45A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta),45A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5.9mΩ@10V,6.5mΩ@5V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 160 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥11.983
100+ :  ¥8.8763
400+ :  ¥7.5223
800+ :  ¥6.9012
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK966R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK966R5-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 1.7V 60V 75A

¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
160 当前型号
RJ1L08CGNTLL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

80A(Ta) N-Channel 2.5V@50uA 96W(Ta) TO-263-3 150℃(TJ) 60V

¥13.1184 

阶梯数 价格
20: ¥13.1184
50: ¥8.5763
100: ¥8.0109
490 对比
IPB054N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPB057N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB057N06N_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB054N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3GATMA1_60V 80A 4.4mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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