首页 > 商品目录 > > > > BUK961R6-40E,118代替型号比较

BUK961R6-40E,118  与  IPB120N04S401ATMA1  区别

型号 BUK961R6-40E,118 IPB120N04S401ATMA1
唯样编号 A-BUK961R6-40E,118 A-IPB120N04S401ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 188W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 349W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 14000pF @ 25V
输出电容 1530pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 140uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 176nC @ 10V
输入电容 12300pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.5 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 1.6mΩ@5V,1.4mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥23.3955
100+ :  ¥17.33
400+ :  ¥14.6864
800+ :  ¥13.4738
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK961R6-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK961R6-40E_SOT404

¥23.3955 

阶梯数 价格
10: ¥23.3955
100: ¥17.33
400: ¥14.6864
800: ¥13.4738
50 当前型号
IPB120N04S401ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB120N04S4-01_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IRFS7434 Infineon  数据手册 通用MOSFET

D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比
IRFS7434TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRLS3034-7P Infineon  数据手册 IGBT晶体管

D2PAK-7,TO-263-7

暂无价格 0 对比
IPB120N04S4-01 Infineon 功率MOSFET

IPB120N04S401ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售