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BUK768R1-40E,118  与  IPB70N04S406ATMA1  区别

型号 BUK768R1-40E,118 IPB70N04S406ATMA1
唯样编号 A-BUK768R1-40E,118 A-IPB70N04S406ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 58W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 96W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2550pF @ 25V
输出电容 260pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
输入电容 1300pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.2 毫欧 @ 70A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 70A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 7.2mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥6.0489
400+ :  ¥5.1262
800+ :  ¥4.7029
暂无价格
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¥6.0489 

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210: ¥6.0489
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阶梯数 价格
180: ¥9.5638
400: ¥7.4717
800: ¥6.1244
0 对比

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