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BUK7275-100A,118  与  RSD050N10TL  区别

型号 BUK7275-100A,118 RSD050N10TL
唯样编号 A-BUK7275-100A,118 A33-RSD050N10TL
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 89W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
输出电容 130pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT428 CPT3
工作温度 175℃ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 21.7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
输入电容 910pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
Rds On(max)@Id,Vgs 75mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 4,395
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
490+ :  ¥5.6376
1,000+ :  ¥4.3702
1,250+ :  ¥3.5821
2,500+ :  ¥3.2863
30+ :  ¥5.8357
50+ :  ¥4.1301
100+ :  ¥3.5647
500+ :  ¥3.191
1,000+ :  ¥3.1143
2,000+ :  ¥3.0568
4,000+ :  ¥3.0089
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7275-100A_SOT428 N-Channel 89W 175℃ 3V 100V 21.7A

¥5.6376 

阶梯数 价格
490: ¥5.6376
1,000: ¥4.3702
1,250: ¥3.5821
2,500: ¥3.2863
0 当前型号
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
500: ¥3.191
1,000: ¥3.1143
2,000: ¥3.0568
4,000: ¥3.0089
4,500 对比
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
500: ¥3.191
1,000: ¥3.1143
2,000: ¥3.0568
4,000: ¥3.0089
4,395 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak

暂无价格 2,000 对比
IRFR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A

暂无价格 2,000 对比
ZXMN10A09KTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.15W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 5A(Ta)

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
100: ¥1.936
508 对比

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