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BUK6D43-40PX  与  RF4G060ATTCR  区别

型号 BUK6D43-40PX RF4G060ATTCR
唯样编号 A-BUK6D43-40PX A33-RF4G060ATTCR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -40V -
Pd-功率耗散(Max) 15W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 880 pF @ 20 V
输出电容 106pF -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT1220 6-PowerUDFN
工作温度 -55°C ~ 175°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.2 nC @ 10 V
输入电容 1260pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 40 毫欧 @ 6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 43mΩ@6A,10V -
漏源电压(Vdss) - 40 V
库存与单价
库存 26,037 1,363
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税)
10+ :  ¥2.4255
100+ :  ¥1.7967
1,000+ :  ¥1.3928
1,500+ :  ¥1.1416
3,000+ :  ¥1.0473
40+ :  ¥4.8583
50+ :  ¥3.1527
100+ :  ¥2.5873
500+ :  ¥2.2136
1,000+ :  ¥2.1369
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK6D43-40PX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6D43-40P_SOT1220 P-Channel 15W -55°C ~ 175°C ±20V -40V 6A

¥2.4255 

阶梯数 价格
10: ¥2.4255
100: ¥1.7967
1,000: ¥1.3928
1,500: ¥1.1416
3,000: ¥1.0473
26,037 当前型号
RF4G060ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 6-PowerUDFN 150°C(TJ)

¥4.8583 

阶梯数 价格
40: ¥4.8583
50: ¥3.1527
100: ¥2.5873
500: ¥2.2136
1,000: ¥2.1369
1,363 对比
RF4G060ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 6-PowerUDFN 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
RF4G060ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 6-PowerUDFN 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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