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BUK6607-55C,118  与  IPB80N06S4L07ATMA1  区别

型号 BUK6607-55C,118 IPB80N06S4L07ATMA1
唯样编号 A-BUK6607-55C,118 A-IPB80N06S4L07ATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 79W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 158W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5680pF @ 25V
输出电容 381pF -
栅极电压Vgs 2.3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 40uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
输入电容 3870pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥10.823
100+ :  ¥8.017
400+ :  ¥6.7941
800+ :  ¥6.2331
暂无价格
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¥10.823 

阶梯数 价格
10: ¥10.823
100: ¥8.017
400: ¥6.7941
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