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BSZ110N06NS3GATMA1  与  DMT6009LFG-13  区别

型号 BSZ110N06NS3GATMA1 DMT6009LFG-13
唯样编号 A-BSZ110N06NS3GATMA1 A-DMT6009LFG-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),50W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.08W(Ta),19.2W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V 1925 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.5 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 23uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 11A(Ta),34A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ110N06NS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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