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BSZ100N03MSGATMA1  与  NTTFS4C13NTAG  区别

型号 BSZ100N03MSGATMA1 NTTFS4C13NTAG
唯样编号 A-BSZ100N03MSGATMA1 A-NTTFS4C13NTAG
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),30W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 15V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-WDFN(3.3x3.3)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 9.1 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ100N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ100N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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