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BSZ0994NSATMA1  与  TPN6R303NC,LQ  区别

型号 BSZ0994NSATMA1 TPN6R303NC,LQ
唯样编号 A-BSZ0994NSATMA1 A-TPN6R303NC,LQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25 MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 30 V
Pd-功率耗散(Max) - 700mW(Ta),19W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 6.3 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 15V 1370 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 200uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 24 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-TSON Advance(3.1x3.1)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ0994NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0994NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AON6596 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 35A 41W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
2,859 对比
TPN6R303NC,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 20A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMT3006LFVQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±20V PowerDI3333-8(UX 类) -55℃~150℃(TJ) 30V 60A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比
AON6370P AOS 功率MOSFET

N-Channel

暂无价格 0 对比
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.5W(Ta),50W(Tc) ±16V PowerDI3333-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 15A(Ta),75A(Tc)

暂无价格 0 对比

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