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BSZ060NE2LSATMA1  与  IRFHM8228TRPBF  区别

型号 BSZ060NE2LSATMA1 IRFHM8228TRPBF
唯样编号 A-BSZ060NE2LSATMA1 A-IRFHM8228TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON Single N-Channel 25 V 5.2 mO 18 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),26W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.2mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 670pF @ 12V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.1nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 19A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1667pF @ 10V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 25V
Pd-功率耗散(Max) - 2.8W(Ta),34W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1667pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 12A(Ta),40A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ060NE2LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ060NE2LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFHM8235TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),30W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 7.7mΩ@20A,10V N-Channel 25V 16A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
IRFHM8228TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),34W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 5.2mΩ@20A,10V N-Channel 25V 19A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比

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