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BSZ0589NSATMA1  与  DMT3004LFG-7  区别

型号 BSZ0589NSATMA1 DMT3004LFG-7
唯样编号 A-BSZ0589NSATMA1 A36-DMT3004LFG-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W(Ta),42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V 2370 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - +20V,-16V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 44 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI3333-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 10.4A(Ta),25A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.4 毫欧 @ 8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ0589NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0589NS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
AON7538 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
2,500: ¥1.2405
5,000: ¥0.98
4,969 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比
DMN3009LFVW-13 Diodes Incorporated 功率MOSFET

PowerDI3333-8(SWP)UX类

暂无价格 0 对比
DMT3004LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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