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BSS316NH6327XTSA1  与  DMN3300U-7  区别

型号 BSS316NH6327XTSA1 DMN3300U-7
唯样编号 A-BSS316NH6327XTSA1 A-DMN3300U-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ@4.5A,4.5V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 700mW(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 94pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 3.7uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 193pF @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 1.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.4A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS316NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS316N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
FDV305N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
8,527 对比
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
1,990 对比
FDV305N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

暂无价格 0 对比
FDV305N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

暂无价格 0 对比
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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