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BSS306NH6327XTSA1  与  DMG3406L-13  区别

型号 BSS306NH6327XTSA1 DMG3406L-13
唯样编号 A-BSS306NH6327XTSA1 A36-DMG3406L-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 770mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@3.6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 275pF @ 15V 495 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.2 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 11uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 3.6A(Ta)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 57 毫欧 @ 2.3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.3A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 10,494
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.616
100+ :  ¥0.5018
500+ :  ¥0.4563
2,500+ :  ¥0.4225
5,000+ :  ¥0.3952
10,000+ :  ¥0.3692
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¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.616 

阶梯数 价格
90: ¥0.616
100: ¥0.5018
500: ¥0.4563
2,500: ¥0.4225
5,000: ¥0.3952
10,000: ¥0.3692
10,494 对比
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阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
8,532 对比
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SOT-23-3

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
100: ¥1.353
750: ¥1.21
1,500: ¥1.144
3,000: ¥1.0879
3,368 对比
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¥1.6596 

阶梯数 价格
1: ¥1.6596
5 对比

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