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BSS215PH6327XTSA1  与  DMP2225L-7  区别

型号 BSS215PH6327XTSA1 DMP2225L-7
唯样编号 A-BSS215PH6327XTSA1 A3-DMP2225L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110mΩ@2.6A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 1.08W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 346pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 11uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.25V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 250pF @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.3nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) 20V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS215PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS215P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
NVR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 9,000 对比
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4002 

阶梯数 价格
130: ¥0.4002
200: ¥0.297
1,500: ¥0.2592
3,000: ¥0.2295
5,560 对比
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
SSM3J375F,LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

S-Mini

暂无价格 0 对比
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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