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BSS138NH6327XTSA2  与  BSS138-7-F  区别

型号 BSS138NH6327XTSA2 BSS138-7-F
唯样编号 A-BSS138NH6327XTSA2 A32-BSS138-7-F
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5Ω@220mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 41pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.4nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 200mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 230mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
高度 - 1mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 50V
Pd-功率耗散(Max) - 300mW
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 26uA -
系列 - BSS138
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 230mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 20ns
库存与单价
库存 0 400
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.3422
10+ :  ¥0.2949
20+ :  ¥0.2712
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阶梯数 价格
90: ¥0.5874
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1,500: ¥0.1665
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200: ¥0.273
1,500: ¥0.237
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SOT-23-3 2.9mm

¥0.3422 

阶梯数 价格
1: ¥0.3422
10: ¥0.2949
20: ¥0.2712
400 对比
BSS138-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3 2.9mm

¥0.2134 

阶梯数 价格
1,000: ¥0.2134
0 对比

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