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BSP61H6327XTSA1  与  BSP61,115  区别

型号 BSP61H6327XTSA1 BSP61,115
唯样编号 A-BSP61H6327XTSA1 A-BSP61,115
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 达林顿晶体管
描述 TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 1250mW
功率-最大值 1.5W -
产品特性 车规 -
电流-集电极(Ic)(最大值) 1A -
不同 Ic、Vce 时DC电流增益(hFE)(最小值) 2000 @ 500mA,10V -
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT223
电压-集射极击穿(最大值) 60V -
工作温度 150°C(TJ) -
频率-跃迁 200MHz -
尺寸 - 6.5 x 3.5 x 1.65
集电极连续电流 - -1000A
电流-集电极截止(最大值) 10uA -
直流电流增益hFE - 1000
不同 Ib、Ic时 Vce饱和压降(最大值) 1.8V @ 1mA,1A -
晶体管类型 PNP - 达林顿 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
260+ :  ¥1.2062
500+ :  ¥1.0222
1,000+ :  ¥0.9378
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP61H6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP 61 H6327_TO-261-4,TO-261AA 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
BSP61,115 Nexperia  数据手册 达林顿晶体管

BSP61_null

¥1.2062 

阶梯数 价格
260: ¥1.2062
500: ¥1.0222
1,000: ¥0.9378
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