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BSH203,215  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 BSH203,215 IRLML5103TRPBF
唯样编号 A-BSH203,215 A36-IRLML5103TRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ@600mA,10V
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.417W 540mW(Ta)
输出电容 27pF -
栅极电压Vgs ±8V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -0.47A 0.76A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
输入电容 110pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 900mΩ@280mA,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,231
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
580+ :  ¥0.964
1,000+ :  ¥0.7473
1,500+ :  ¥0.6125
3,000+ :  ¥0.5518
80+ :  ¥0.6765
200+ :  ¥0.5512
1,500+ :  ¥0.5005
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH203,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH203_SOT23

¥0.964 

阶梯数 价格
580: ¥0.964
1,000: ¥0.7473
1,500: ¥0.6125
3,000: ¥0.5518
0 当前型号
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥2.3286 

阶梯数 价格
70: ¥2.3286
100: ¥1.7345
500: ¥1.3416
1,000: ¥1.2649
2,000: ¥1.2074
4,000: ¥1.1595
6,000 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 小信号MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
2,231 对比
FDV304P ON Semiconductor 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.2824 

阶梯数 价格
1: ¥0.2824
25: ¥0.2808
100: ¥0.2421
1,000: ¥0.2087
1,205 对比
FDV304P ON Semiconductor 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.2824 

阶梯数 价格
1: ¥0.2824
25: ¥0.2808
100: ¥0.2421
1,000: ¥0.2087
1,193 对比
FDV304P ON Semiconductor 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6019 

阶梯数 价格
90: ¥0.6019
200: ¥0.3887
1,072 对比

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