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BSC360N15NS3GATMA1  与  IRFH5015TRPBF  区别

型号 BSC360N15NS3GATMA1 IRFH5015TRPBF
唯样编号 A-BSC360N15NS3GATMA1 A36-IRFH5015TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON N-Channel 150 V 3.6 W 33 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 74W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 31mΩ@34A,10V
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),156W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1190pF @ 75V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 45uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2300pF @ 50V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 36 毫欧 @ 25A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 33A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 8V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 150V -
库存与单价
库存 0 3,547
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
9+ :  ¥5.654
100+ :  ¥4.708
1,000+ :  ¥4.367
2,000+ :  ¥4.169
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥10.4257 

阶梯数 价格
20: ¥10.4257
50: ¥8.3176
100: ¥7.8959
500: ¥7.8193
1,000: ¥7.4264
2,000: ¥7.3114
4,000: ¥7.2731
4,000 对比
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¥5.654 

阶梯数 价格
9: ¥5.654
100: ¥4.708
1,000: ¥4.367
2,000: ¥4.169
3,547 对比
IRFH5015TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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