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BSC120N03LSGATMA1  与  IRFH8337TRPBF  区别

型号 BSC120N03LSGATMA1 IRFH8337TRPBF
唯样编号 A-BSC120N03LSGATMA1 A-IRFH8337TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON 30V, 16.2A, 0.0128 ohms, PQFN 5x6 HEXFET POWER MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.8mΩ@16.2A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(5x6)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 12A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 10V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3.2W(Ta),27W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 12A(Ta),39A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC120N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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¥2.0522 

阶梯数 价格
480: ¥2.0522
1,000: ¥1.6148
1,500: ¥1.2629
3,000: ¥0.985
0 对比
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