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BSC109N10NS3GATMA1  与  DMT10H010SPS-13  区别

型号 BSC109N10NS3GATMA1 DMT10H010SPS-13
唯样编号 A-BSC109N10NS3GATMA1 A-DMT10H010SPS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 78W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8.8mΩ@13A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 50V 4468 pF @ 50 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 56.4 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 45uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 10.7A(Ta),113A(Tc)
驱动电压 - 6V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 10.9 毫欧 @ 46A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 63A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC109N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC109N10NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFH5110TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),114W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@37A,10V N-Channel 10V 11A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 10.7A(Ta),113A(Tc)

暂无价格 0 对比

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