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BSC0924NDIATMA1  与  HP8KA1TB  区别

型号 BSC0924NDIATMA1 HP8KA1TB
唯样编号 A-BSC0924NDIATMA1 A-HP8KA1TB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5mΩ@14A,10V
功率-最大值 1W -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 2 N 沟道(双)非对称型 2N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-HSOP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id - 14A
FET功能 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 20A,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A,32A -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 10mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2550pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 98
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥9.1423
100+ :  ¥5.2842
1,250+ :  ¥3.3502
2,500+ :  ¥2.4222
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC0924NDIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0924NDI_2 N 沟道(双)非对称型 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
HP8KA1TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 14A 5mΩ@14A,10V 3W -55℃~150℃ 8-HSOP 2N-Channel ±20V

¥5.4237 

阶梯数 价格
30: ¥5.4237
50: ¥3.718
100: ¥3.1527
500: ¥2.7789
1,000: ¥2.7023
1,165 对比
HP8KA1TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 14A 5mΩ@14A,10V 3W -55℃~150℃ 8-HSOP 2N-Channel ±20V

暂无价格 100 对比
HP8KA1TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 14A 5mΩ@14A,10V 3W -55℃~150℃ 8-HSOP 2N-Channel ±20V

¥9.1423 

阶梯数 价格
1: ¥9.1423
100: ¥5.2842
1,250: ¥3.3502
2,500: ¥2.4222
98 对比

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