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BSC0904NSIATMA1  与  AON6508  区别

型号 BSC0904NSIATMA1 AON6508
唯样编号 A-BSC0904NSIATMA1 A-AON6508
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 124
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),37W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 5mΩ
Qgd(nC) - 8
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 32A
Ciss(pF) - 2010
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 14
Td(off)(ns) - 37
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 41W
Qrr(nC) - 20.3
VGS(th) - 2.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Ta),78A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
Coss(pF) - 898
Qg*(nC) - 17
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC0904NSIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0904NSI_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AON6508 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 32A 41W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
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ISC037N03L5ISATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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