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BSC0901NSATMA1  与  DMTH32M5LPSQ-13  区别

型号 BSC0901NSATMA1 DMTH32M5LPSQ-13
唯样编号 A-BSC0901NSATMA1 A-DMTH32M5LPSQ-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 3.2W(Ta),100W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.2mΩ@30A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V 3944 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 68 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 170A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.9 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 28A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC0901NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0901NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E281BNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

28A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥6.1424 

阶梯数 价格
30: ¥6.1424
50: ¥4.4463
100: ¥3.8713
500: ¥3.4976
1,000: ¥3.421
1,265 对比
RS1E281BNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

28A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

暂无价格 15 对比
NTMFS4833NST1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SO-8FL

暂无价格 0 对比
RS1E281BNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

28A(Ta),80A(Tc) N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMTH32M5LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.2W(Ta),100W(Tc) ±16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 170A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比

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