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BSC084P03NS3GATMA1  与  AON6413  区别

型号 BSC084P03NS3GATMA1 AON6413
唯样编号 A-BSC084P03NS3GATMA1 A-AON6413
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 363
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.5mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 17mΩ
Qgd(nC) - 6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4785pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 25V
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 8-PowerTDFN DFN 5x6
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - -32A
Ciss(pF) - 2142
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.4 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±25V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 17.5
Td(off)(ns) - 34
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - -30V
Pd-功率耗散(Max) - 48W
Qrr(nC) - 44.5
VGS(th) - -2.7
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.1V @ 105uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 14.9A(Ta),78.6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
Coss(pF) - 474
Qg*(nC) - 18.5
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC084P03NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3 G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BSC084P03NS3E G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3EGATMA1_30V 78.6A 8.4mΩ 25V 69W P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON6413 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -32A 48W 8.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON6413 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -32A 48W 8.5mΩ@10V

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BSC084P03NS3E G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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