尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > BSC077N12NS3GATMA1代替型号比较

BSC077N12NS3GATMA1  与  IRLH5030TRPBF  区别

型号 BSC077N12NS3GATMA1 IRLH5030TRPBF
唯样编号 A-BSC077N12NS3GATMA1 A-IRLH5030TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON Single N-Channel 100 V 3.6 W 44 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 139W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5700pF @ 60V -
栅极电压Vgs - ±16V
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PQFN(5x6)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 88nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 13A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.7 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5185pF @ 50V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 110uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5185pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 94nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 13.4A(Ta),98A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 120V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 94nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC077N12NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC077N12NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRLH5030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@50A,10V N-Channel 100V 13A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH5010TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@50A,10V N-Channel 100V 13A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消