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BSC060P03NS3EGATMA1  与  FDMS6673BZ  区别

型号 BSC060P03NS3EGATMA1 FDMS6673BZ
唯样编号 A-BSC060P03NS3EGATMA1 A36-FDMS6673BZ
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.8m Ohms@15.2A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),73W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6020pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PQFN(5x6)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.1V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 15.2A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5915pF @ 15V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 50A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17.7A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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