首页 > 商品目录 > > > > BSC036NE7NS3GATMA1代替型号比较

BSC036NE7NS3GATMA1  与  DMT6004LPS-13  区别

型号 BSC036NE7NS3GATMA1 DMT6004LPS-13
唯样编号 A-BSC036NE7NS3GATMA1 A-DMT6004LPS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 100A TDSON MOSFET N-CH 60V 22A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),156W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 37.5V -
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 110uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63.4nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 22A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC036NE7NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
10 对比
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售