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BCR08PNH6327XTSA1  与  MUN5335DW1T1G  区别

型号 BCR08PNH6327XTSA1 MUN5335DW1T1G
唯样编号 A-BCR08PNH6327XTSA1 A36-MUN5335DW1T1G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 达林顿晶体管
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 47k Ohms -
功率耗散Pd 250mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 1/4W
特征频率fT 170MHz -
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 2.2k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
FET类型 - NPN+PNP
封装/外壳 SOT-363 SC-88
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
VCBO 50V -
工作温度 -65℃~150℃ -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
直流电流增益hFE 70 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN/PNP -
R1 2.2k Ohms -
库存与单价
库存 0 4,620
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥0.5018
200+ :  ¥0.325
1,500+ :  ¥0.2821
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BCR08PNH6327XTSA1 Infineon  数据手册 通用三极管

BCR 08PN H6327_SOT-363

暂无价格 0 当前型号
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.5018 

阶梯数 价格
100: ¥0.5018
200: ¥0.325
1,500: ¥0.2821
4,620 对比
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

暂无价格 0 对比
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

暂无价格 0 对比

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