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AUIRLR3410TRL  与  RSD175N10TL  区别

型号 AUIRLR3410TRL RSD175N10TL
唯样编号 A-AUIRLR3410TRL A33-RSD175N10TL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm 17 A Hexfet Power Mosfet - TO-252-3 (DPAK) MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 950pF @ 25V
栅极电压Vgs ±16V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
封装/外壳 D-Pak CPT3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 105 毫欧 @ 8.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
系列 汽车级,AEC-Q101,HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
库存与单价
库存 0 239
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.3313
50+ :  ¥3.833
100+ :  ¥3.4114
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRLR3410TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,337 对比
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
RSD175N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.3313 

阶梯数 价格
40: ¥4.3313
50: ¥3.833
100: ¥3.4114
239 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
159 对比

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