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AUIRFR8403TRL  与  NVD5117PLT4G-VF01  区别

型号 AUIRFR8403TRL NVD5117PLT4G-VF01
唯样编号 A-AUIRFR8403TRL A-NVD5117PLT4G-VF01
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@76A,10V -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 99W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DPAK TO252
连续漏极电流Id 100A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3171pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 99nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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DPAK

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