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AUIRFR024NTRL  与  IRFR024NT  区别

型号 AUIRFR024NTRL IRFR024NT
唯样编号 A-AUIRFR024NTRL A3-IRFR024NT-1
制造商 Infineon Technologies XBLW
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ -
上升时间 34ns -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 45W -
Qg-栅极电荷 20nC -
栅极电压Vgs 20V -
正向跨导 - 最小值 4.5S -
典型关闭延迟时间 19ns -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 - TO-252-2L
连续漏极电流Id 17A -
工作温度 -55°C~175°C -
通道数量 1Channel -
配置 SingleQuintSource -
长度 6.5mm -
下降时间 27ns -
典型接通延迟时间 4.9ns -
高度 2.3mm -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR024NTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.5mm

暂无价格 0 当前型号
IRFR024NT XBLW  数据手册 功率MOSFET

TO-252-2L

暂无价格 2,500 对比
IRFR024NT XBLW  数据手册 功率MOSFET

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