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AUIRF2804STRL  与  BUK661R9-40C,118  区别

型号 AUIRF2804STRL BUK661R9-40C,118
唯样编号 A-AUIRF2804STRL A-BUK661R9-40C,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 40V, 195A, 2.0MOHM, D2PAK, AUTOMOTIVE QUALIFIED 175C TEMP, MOSFET MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 306W
输出电容 - 1447pF
栅极电压Vgs ±20V 2.3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 270A 120A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF @ 25V -
输入电容 - 11300pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 1.9mΩ@10V,3.1mΩ@4.5V,2.6mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
180+ :  ¥31.2799
400+ :  ¥24.4374
800+ :  ¥20.0307
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D2PAK

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180: ¥26.4688
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阶梯数 价格
210: ¥12.1928
400: ¥10.3329
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¥31.2799 

阶梯数 价格
180: ¥31.2799
400: ¥24.4374
800: ¥20.0307
0 对比

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