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AOTF42S60L  与  IPA60R099C6  区别

型号 AOTF42S60L IPA60R099C6
唯样编号 A-AOTF42S60L A33-IPA60R099C6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.7 -
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 99mΩ@10V 90mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 12ns
Qg-栅极电荷 - 119nC
Qgd(nC) 11.9 -
栅极电压Vgs 30V 20V
Td(on)(ns) 38.5 -
封装/外壳 TO-220F -
连续漏极电流Id 39A 37.9A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 2154 -
配置 - Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 6ns
Schottky Diode No -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2660pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.21mA
高度 - 16.15mm
Trr(ns) 473 -
Td(off)(ns) 136 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 37.9W 35W
Qrr(nC) 10500 -
VGS(th) 3.8 -
典型关闭延迟时间 - 75ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC6
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 119nC @ 10V
Coss(pF) 135 -
Qg*(nC) 40* -
库存与单价
库存 0 25
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥19.4044
10+ :  ¥18.8774
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