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AOTF12N60  与  STF10NM60N  区别

型号 AOTF12N60 STF10NM60N
唯样编号 A-AOTF12N60 A3-STF10NM60N
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 13 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@10V 550mΩ@4A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 17.9 -
栅极电压Vgs 30V ±25V
Td(on)(ns) 39 -
封装/外壳 TO-220F TO-220-3
连续漏极电流Id 12A 10A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1751 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 540pF @ 50V
Trr(ns) 311 -
Td(off)(ns) 122 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 50W 25W(Tc)
Qrr(nC) 5200 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19nC @ 10V
Coss(pF) 164 -
Qg*(nC) 40* -
库存与单价
库存 0 128,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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