首页 > 商品目录 > > > > AOT480L代替型号比较

AOT480L  与  IRFB4110PBF  区别

型号 AOT480L IRFB4110PBF
唯样编号 A-AOT480L A-IRFB4110PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 310 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V 4.5mΩ@75A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 5.5mΩ -
Qgd(nC) 38 -
栅极电压Vgs 25V ±20V
Td(on)(ns) 31.5 -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
连续漏极电流Id 180A 180A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 6520 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 28 -
Td(off)(ns) 46 -
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 333W 370W(Tc)
Qrr(nC) 132 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9620pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 210nC @ 10V
Coss(pF) 810 -
Qg*(nC) 116* -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT480L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥5.72 

阶梯数 价格
9: ¥5.72
100: ¥4.576
1,000: ¥4.235
3,000 对比
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

¥20.0273 

阶梯数 价格
8: ¥20.0273
10: ¥15.6194
50: ¥15.1402
100: ¥14.5653
500: ¥14.3736
500 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

暂无价格 500 对比
IPP045N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP045N10N3GXKSA1_TO-220-3

暂无价格 1 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售