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AOT480L  与  IPP045N10N3GXKSA1  区别

型号 AOT480L IPP045N10N3GXKSA1
唯样编号 A-AOT480L A-IPP045N10N3GXKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 310 -
功率耗散(最大值) - 214W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 5.5mΩ -
Qgd(nC) 38 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8410pF @ 50V
栅极电压Vgs 25V -
Td(on)(ns) 31.5 -
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 180A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 117nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 6520 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.5 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 28 -
Td(off)(ns) 46 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 333W -
Qrr(nC) 132 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 150uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
Coss(pF) 810 -
Qg*(nC) 116* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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