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AOT42S60L  与  IPP60R099C6  区别

型号 AOT42S60L IPP60R099C6
唯样编号 A-AOT42S60L A-IPP60R099C6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 109mΩ@21A,10V 90mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 417W 278W
Qg-栅极电荷 - 119nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 75ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 37A 37.9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2660pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 119nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 549 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥35.2728
25+ :  ¥28.98
50+ :  ¥23.7636
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥35.2728 

阶梯数 价格
1: ¥35.2728
25: ¥28.98
50: ¥23.7636
549 当前型号
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