首页 > 商品目录 > > > > AOT412代替型号比较

AOT412  与  IPP180N10N3GXKSA1  区别

型号 AOT412 IPP180N10N3GXKSA1
唯样编号 A-AOT412 A-IPP180N10N3GXKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 100 -
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 19.4mΩ -
Qgd(nC) 15 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
栅极电压Vgs 25V -
Td(on)(ns) 19 -
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 60A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 2680 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 18 毫欧 @ 33A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 27 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 150W -
Qrr(nC) 96 -
VGS(th) 3.8 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 33uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 43A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
Coss(pF) 260 -
Qg*(nC) 45 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT412 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 60A 150W 15.8mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥1.7021 

阶梯数 价格
1: ¥1.7021
25: ¥1.4673
40 对比
IPP70N10S3L12AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP70N10S3L-12_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP180N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP180N10N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN016-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN016-100PS_SOT78 N-Channel 148W 175℃ 3V 100V 57A

¥8.8599 

阶梯数 价格
20: ¥8.8599
50: ¥7.2622
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消